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PL光谱测量分析技术简介-微荧光显微镜




来源:yiyi
时间:2013-4-7 21:56:44

PL光谱测量分析技术简介-微荧光显微镜

微荧光光谱量测分析技术

  PL光谱已经是一个相当成熟的非破坏性量测技术。透过PL光谱的分析,可检测发光半导体中许多材料特征,
如能隙大小、杂质活化能或化合物半导体的组成等特性,进而与其他检测技术交叉比对。
当入射光能量高于材料之能隙时,价带(valence band)中的电子受到激发而跃升至导带(conduction band),

形成电子-电洞对(electron-hole pair)。当电子与电洞再次複合时,会产生荧光,称为辐射性複合。

此外,电子与电洞也可能以非放光方式将能量释出,亦称为非辐射性複合。
当导带中的电子与价带中的电洞彼此因库伦作用力而束缚在一起时,称之为激子(exciton)。由于激子具有束缚能,
会导致其複合时的能量将小于能隙的跃迁能量。

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