LED封装外观检测显微镜-封装技术常识
封装技术
覆晶(Flip Chip)接合封装技术中，一个焊锡凸块往往包含不同的金属化垫层
(Under Bump Metallization, UBM)结构。
而焊锡接点与金属垫层的反应则直接会影响到接到的机械性质以及电性。
同时随着无铅焊锡的采用，与焊锡反应较为和缓的Ni金属垫层也逐渐成为关注的焦点。
电镀Ni与无电镀Ni与焊锡接点的回焊以及时效之反应．由于电镀Ni为结晶结构，
而无电镀Ni虽为非晶质结构，却会在反应之过程中形成一层柱状之Ni3P，
而相对的加快了反应之速度。而由其两种金属垫层与锡铅以及无铅焊锡之反应，
可以明确得到电镀Ni确实大大的减缓了介面反应的速率，
相对降低界金属化合物Spalling的可能性。同时，随着可携式电子产品微小化的
趋势，覆晶封装焊锡接点也须随之缩小，
因此焊锡接点所承载的电流密度逐渐提高，在高电流密度的影响下，
覆晶封装焊锡接点因电迁移产生可靠度的议题受到重视。
此外，导线所产生的焦耳热效应严重影响焊锡接点内部的温度分布，
因为温度差产生的温度梯度产生热迁移的破坏，热迁移的破坏也越来越受到注目
