芯片轮廓量测影像测量仪-显微镜专业厂商

硅芯片影像撷取
就现有单次涂布的制程而言，已配置一组CCD影像设备，作为芯片
边界对位误差之检测与补偿。然而，目前使用的CCD影像设备每次撷取

整片芯片轮廓，虽然其像素相当高，但由于取像范围过大，分辨率无法
适用于两次涂布的制程。经由分析，若每次都需撷取整片芯片的影像，
其像素将相当高，影像所需的储存空间也相当大，超过目前已知的所有
CCD设备能力。因此，需要分多次取像，以作为涂布区域对位计算的资
讯。本研究分别撷取芯片边界的四个角落及涂布电极边界之四个角落，

但因电极左下角印有一个标志，因此必须避开此标志，分别撷取标志左
上方及右下方之电极边界。另外，于储存影像的同时，必须将影像档案
名称命名为机台上显示的影像中心座标位置，以方便各局部影像于芯片
上位置的计算，明确得知区域对位关系。因此，不但可减少影像撷取的
像素及影像储存的空间，也可透过几张局部影像，经过软体分析后，得
知各局部影像与整张芯片的相对位置关系，而作为后续对位补偿的依据

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