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硅浓度分层分析数据专业用显微分析专业显微镜




来源:yiyi
时间:2014-11-20 21:27:53

硅浓度分层分析数据专业用显微分析专业显微镜

    纯铁渗硅时,加热速度的有利影响表现得有些不同。在
以3000℃/s的速度加热时,边界反向位移比用100℃/s的逮
度加热时大约大3倍。虽然气孔率水平较低,但反向位移没
有提前开始。

    α底层中的浓度梯度。45纲的底层增长期间,在加热速度
比较快时,浓度梯度较小。在烧结阶段,随着加热速度增加,
由于硅含量增加和底层尺寸减小,浓度梯度显著增加。

高的加热速度可以得到更薄的底层和高的硅含量。

    正如曾经指出过的,电加热不会引起渗层中硅浓度分布
原则性的变化。在显微分析器上得到的硅浓度分层分析数据
是这一结论的依据。但是,硅和铁的总含量小于100%的
这一不足可能和存在碳有关。在渗硅过程开始时这一差额比
较可观,在渗层烧结期间尤其大(百分之几),而在以后期
间这一“赤字”不很大。45钢用100℃/s和3000℃/s的速度
加热,在1000℃渗硅时的浓度关系曲线具有这样的特点。

    指出过共析钢气体渗硅时,在渗层中出现石墨
_夹杂,在用电加热气体渗硅时,也可能存在石墨。其证据是用
某些规范电加热渗硅时,在表面层中有黑色区.

黑色区的消失,相当于气孔率曲线上的较小值。看来,渗层的烧
结,伴随着碳从这些区域扩散(可能向渗层中的气孔和试祥心
部扩散)。在电加热时,因为增加了奥氏体中缺陷的浓度,为
阻止碳留在表面区创造了条件:在开始期间,许多铁以氯化物
气体的形式消耗掉;碳的浓度在烧结阶段增加一倍,这
可能是由于伴随着硅的反应扩散,碳也反向扩散所造成的。

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