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金相分析图像显微镜镶,嵌试样和试样研磨技术常识




来源:yiyi
时间:2014-8-18 6:53:30

金相分析图像显微镜镶,嵌试样和试样研磨技术的常识

垂直截取半导体材料可以用类似于磨角抛光的技术垂直地
.将一个大的试样研磨到预定的部位,所需的时间通常超过两小时.
在镶嵌试样时应将其一部分高出于嵌入器的顶端,加热嵌入器,并

在它平行于长轴的面上熔上一层粘结剂.将试样放在熔化的粘
结剂上,并压紧试样作圆周运动以驱除多余的气体和粘结剂,并
使之紧贴在嵌入器上.当嵌入器还是热的时候,把固定器倒置过来,
使固定器搁置在一块显微镜的盖玻片上,并使试样的边缘搁在支
承盖玻片的表面上.

    这样,试样将比嵌入器的顶部表面高出相当于盖玻片的厚度.
这种使试样边缘平行于嵌入器边缘的固定也有助于抛光的进行.

为了不影响其后的抛光过程,必须除去试样顶部边缘及嵌入器顶
部表面上过多的粘结剂.用棉球和适当的溶剂是可以除去这些多
余的粘结剂的.由于抛光的表面积较大,使所需的抛光时间较长,

在抛光之前不妨先用1800#磨料研磨试样.磨料与水放在另一个
表面制备与抛光板相似的研磨板上,用手指搀合以使之均匀.如

所加的水太少,浆液太浓,研磨固定器就不容易在浆液中移动.如
浆液太薄,则单位时间内磨去物太少.正常的浆液(薄糖浆的浓
度)会随着半导体被磨掉而变色.这种浆液的变深是正常的,并能
指出何时应以一批新的浆液来代替.试样被研磨到显露出所需的
目标前就暂停.

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