电子显微镜中观察纯铝样品电阻率测量试验

    在含有镁的样品的情况下，杂质元素的影响定性地和在
铜的情况相同。差别在于开始表现出杂质元素影响的临界浓
度(在镁的情况下临界浓度较高)，以及在杂质有效的浓度
范围内的抑制作用。对于一个给定杂质元素浓度，在镁的场
合此抑制作用是较强的.

    根据“低”浓度范围(杂质元素无影响)和“高”浓度
界面于是离开气氛:杂质就没有影响了，其行为和很纯的金
属中一样。但这个理论不能完全解释在过渡区观察到的现象
(

    在含有较高浓度杂质元素的合金研究中，电阻率测量和
力学性能测定表明，在再结晶之前，在空位消失之后存在一
个回复阶段.在电子显微镜中观察金属薄膜表明，这回复阶
段对应于冷加工状态特征的畴结构的完整性增加.测定了杂
质对这种现象的影响，电阻率测量结果证明，在区熔提纯铝
中不存在回复.于是因为没有回复的干扰，在这种金属中研
究再结晶特别有意义。

    利用区熔提纯铝制备极低浓度合金，能说明某些涉及杂
质对再结晶的影响的重要问题。而在工业高纯铝样品的情形
中，必须考虑沉淀现象和所含大量杂质间可能的相互作用，
这样的研究将是特别复杂的。

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