集成电路氧化膜的厚度计量中光学显微镜的应用
使用不同的测试方法。集成电路具有很多的测试端点及测试项目，
而且要高精度地测试，故需使用集成电路自动测试仪。在制造厂
商方面，采用了按测试项目的顺序编制程序和程序容量大的高速
自动测试仪。通过以上各种测试过程，可以评价所研究的集成电
路的优缺点、设计和制造工艺的优劣、电路结构的合理性和适应性
等等。
首先，应检查所研究的集成电路的外观(照片)以及外壳尺
寸，然后揭开外壳的盖子，以各种倍率拍摄集成电路芯片表面的
照片，描绘蒸发互连线以及各元件的图形。此时，还要区分n型
部分和p型部分，然后观察引线与压焊点的连接方法以及引线的
材料与直径。
其次，要加热以便从支架上取下芯片，测定此时的加热温度，
以判断支架与芯片之间的粘结材料的性质。对于外壳和引线等，
使用光谱分析法和化学分析法来推断所采用的是何种物质。为了
去掉芯片上蒸发的铝互连线，要用NaOH加以溶解，以显示出器
件图形，再根据表面干涉条纹推断氧化膜的厚度。接着，用金属
膜覆盖在芯片表面，用干涉显微镜求出表面起伏的分布，然后去
掉金属膜，再用HF去掉Si02膜，使Si表面露出，再用干涉法
测量它的起伏状态，据此确定氧化膜厚度的分布。在这一阶段推
断扩散工艺的顺序等。
然而，在测得构成集成电路的元件的电学特性后，必须去掉
铝蒸发膜互连线。
随后再观察构成集成电路的电阻、电容、二极管、晶体管等
元器件的形状、尺寸和断面结构，并画出其图形。
