电子显微镜的应用技术-微细图形的氧化层厚度
对亚微米技术的需求来自持续不断地要求改进微电子技术
的压力。目前的光学方法巳达到极限。日趋复杂的电子系统不
断把存贮器和逻辑电路推向更高的水平。人们正设法在成本、
速度、集成度和功耗方面作进一步的改进。
在微波领域，看来砷化镓器件可提供更优良的性能。在名
目繁多的微波产品中，硅器件仍然有很广的应用范围。
对硅技术及其局限性进行讨论是有益的。硅加工技术显然
仍将取得进展。电子束制版的问世看来是硅技术发展史上的又
一个里程碑。
为了使亚微米技术的成本一效果更佳，必须克服现有的一些
技术局限性。因为集成电路的掩模尺寸减小了，所以产生了新
的尺寸减小、问题。掩模尺寸的减小与加工能力的提高相辅相
成。、任何实用静硅集成电路都需要几块掩模，因此，随着尺寸
的减小，掩模对准变得越来越关键了。
在工艺加工方面有多种选择方案，这些方案对亚微米系统
的性能可产生显著的影响。各种自对准技术已在光学尺寸中使
用了多年。其中的一些技术将适用于亚微米工艺。人们还可以
改变有关扩散的掩蔽技术。采用微细图形的氧化物源就不再需
要掩蔽用的特定的氧化层厚度。
随着尺寸的日益减小，理论研究显示了基本的局限性。目
前大部分半导体理论建立在关于空穴和电子的统计概率的基础
上。由于尺寸越来越小，特殊分布的统计概率就减小了。尽管
这较终将使亚微米技术产生局限性，但对0．5微米尺寸来说还
是不成闽题的。较后，重要的是确切地找出这些局限性是什么，
但是在目前，实际生产中的问题已经存在。
由于尺寸极小，已无法用常规光学方法在硅片上刻蚀集成
电路图形。这种微细尺寸使光学检查手段一筹莫展。为替代可
见光，人们用X射线和电子束制作半导体晶片上的图形。
