金属一氧化物一半导体结构表面金相分析显微镜

    扩散和器件结构的关系是多方面的。首先，通过扩散在集成电
路中提供有器件意义的区域，这些区域就是能得到晶体管、二极管
、电阻和比较复杂的半导体结构的p型区和n型区；杂质扩散的第二
个作用是在较复杂的集成电路中对半导体区域之间提供隔离；第三
个作用是通过专门的扩散以达到改变某一区域的电导率(即集电极
区域埋层)和改变半导体结构的复合(保护环扩散)，以及用来制控
表面。在金属一氧化物一半导体结构中，杂质分布会改变表面附近
反型层的类型和特性。较后，扩散还可用作寿命控制，特别是在高
速数字集成电路中，引入诸如金之类的杂质，就可降低材料载流子
的复合时间。既然在复杂的集成电路中，各种类型的扩散可能出现
在任一器件内，所以必须搞清楚一次扩散对另一次扩散的影响。这
一点有特别重要的意义。这种相互作用与其它相互作用的相互关系
，例如在加工半导体的同时所进行的氧化，也必须予以考虑。
    为了说明制造功能块所使用的扩散和氧化过程，现在讨论一F
简单晶体管的加工工序。所用的硅片是p一型的，其电阻率为5欧姆
一厘米，厚度约为250微米。

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