芯片钝化层电镀或刻蚀样品表面粗糙度计量显微镜
对于大多数光刻胶和光敏聚合物，存在一个稳定的发展趋势：
使用低成本的水基显影液代替溶剂型显影液。此外，这也是绿色制
造的需要。喷水或喷雾显影是水基显影液的必备工艺，浸泡式显影
只适合于实验室研发或小批量生产。
光刻胶只是用于电镀或刻蚀的临时材料，因此光刻胶剥离是一
个必要的工艺步骤，并且极大地影响较终的结果。光刻胶必须在不
损害结构的情况下被完全去除，例如对于电镀金属线或凸点的情况
，残留光刻胶将限制种子层刻蚀。大多数酚醛树脂类的正性光刻胶
材料可在碱性水溶液中轻松剥离。相反，负性光刻胶在曝光过程中
聚合，因此必须采用更强的剥离剂，主要为NMP甚至胺类的有机溶
剂。相对于将光刻胶压片的PCB工业，因此存在金属腐蚀的危险，
封装中必须使用不腐蚀设备的剥离剂。
采用两种不同的有机溶液剥离剂，对电镀SnCu凸点的光刻胶剥离进
行了评估，第一种剥离剂强烈腐蚀Cu孔洞，与之相比，第二种剥离
剂则腐蚀Sn。
用于再分配层(RDL)的聚合物
一直采用聚合物涂层(如聚亚氨酯、丙烯酸树脂、环氧树脂和硅胶
)来保护印制电路板(PCB)免受湿气、操作和环境影响。为了满足对
离子高度敏感的芯片钝化层需求，必须开发特殊的半导体等级的聚
合物。尤其对于环氧树脂，必须采用多步精馏过程，去除标准环氧
树脂合成中作为副产品的钠离子与氯离子。聚酰亚胺作为存储芯片
与其他器件的标准钝化层，用于芯片操作和测试过程中的表面保护
。为了降低工艺成本，曾经开发了光敏合成树脂，但光敏树脂的基
础材料价格更高。干法刻蚀需要掩膜板，掩膜板既可以是物理沉积
和加工的金属层硬板，也可以通过涂覆厚光刻胶制备。
