硅晶圆片的加工金属氧化物检测金相显微镜
首先是硅晶的生长和硅晶圆片的加工，然后是单片双极型或
金属氧化物(MOS)器件的制备，主要是适用于标准集成电路的工艺
，如晶体管一晶体管逻辑电路(1TrL)、可编程门阵列(PGA)、微处
理器及专用集成电路(ASIC)。随后讨论一些信号的连接和器件封装
技术，包括在单片电路制备工艺过程中的金属化互连，以及印制电
路板(PCB)和混合电路的连接、封装。有时，封装工艺对微变送器
和MEMS有特别重要的意义。对标准集成电路来说，一般只需采用塑
料包封就可以了，塑料的工艺成本较低，同时又能起到防环境腐蚀
和抗机械应力的双重保护功能。但有些电路是用金属壳密封的，封
装内部为电路创造了一个惰性气体的环境，它可以保证器件在高工
作温度下有较高的输出功率。对有些微传感器必须特别关注它的装
配技术和封装工艺，例如化学敏微传感器中的离子敏场效应晶体管
(ISFET)，它必须工作于离子性溶液中(甚至河流、蓄水池中)，因
此需要保证它在相当时期内没有可影响它工作的污垢产生。又如机
械微传感器和大气气压传感器，它也需要能在一定环境条件下长期
工作，所以在这里将有针对性地介绍一些不同的封装技术。
针对硅单片电路的，因为无论是对集成电路，还是对微变送器
(这里用它作为对微传感器、微执行器的统称)、智能传感器和MEMS
来说，目前硅仍然是较重要的半导体材料。
